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背散射電子圖像:如何提高其質(zhì)量

 發(fā)布時間:2018/11/5 點擊量:1677
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背散射電子(Backscattered electron -BSE)圖像會體現(xiàn)有關樣品材料襯度的信息。利用背散射電子探測器(BSD)獲取樣品圖像的質(zhì)量會受到很多因素的影響,如樣品的電導率,形貌,樣品成分,BSD探測器類型以及電子器件等。

 

在本篇博客中,將使用同一套成像系統(tǒng)、*相同的探測器對同一個樣品進行控制變量實驗,分析影響背散射電子圖像質(zhì)量的因素,這些因素包括采樣幀數(shù)、束流強度,以及工作距離、樣品倉真空度等。

 

掃描電鏡的背散射電子成像

 

背散射電子一種電子槍中電子與樣品表面原子的原子核發(fā)生彈性散射進而被收集到的高能量反射電子。

 

首先,背散射電子(BSE)圖像的質(zhì)量當然取決于探測器的類型及其電路設計,還取決于樣品的類型以及導電性的好壞。但是如果討論使用一臺探頭型號固定的掃描電鏡觀察特定樣品(這意味著探頭、鏡筒、樣品導電率不能改變),那么還有哪些因素會決定背散射圖像的質(zhì)量呢?

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